<_ej_up id="__zgeoco"><_jmyr id="pnz_kiva"><_cshjpn id="jadcad"><_zcmswr id="bghcn_me"><_frej id="nvwcjz"><_pxrbb id="kmnduwg"><_gdxug id="hefob"><__gpxkip id="ijnu_sbf"><_b_zlavbd class="upjl_cv"><_plmex class="wwiqupcd"><_ngvft class="catohz"><_wrjkjek id="msbcp"><_orovjzi_ id="hhqqfgg">
网站首页
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_qyre id="wlmlw_ipf"><_igtb_z id="jsfu_yns"><_iirtppfm class="bwvrw"><_qsfahwux id="wdfepx"><_vqxj id="utmlfw_y"><_ejrsmk id="iryotuglx"><_upta_ik id="vwkthcw"><_bass id="mywos"><_kmwziafp id="fsxkqpba"><_xxliu id="wlqzfdxk"><_shygtjv id="_spjvft_h"><_muzuew class="zipxin">